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Postgraduate Diploma in SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung

Online-Postgraduiertendiplom in SiC/GaN-Traktionswechselrichtern: Topologien und Regelung, 800 Stunden. 8 Module mit AQG 324, AEC-Q101 und PLECS. Persönlicher Fachtutor und offene Einschreibung.

Dauer800 h
FormOnline
SpracheEnglisch
StarttermineVon der Fakultät festgelegt
AbschlussZertifikatsprogramm des SEIUM Institute

Postgraduate Diploma in SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung — Studium aus der Schweiz

Die Schweiz setzt stark auf Elektromobilität, Batteriesysteme und Wasserstofftechnologien. Forschungseinrichtungen wie die Empa und das Paul Scherrer Institut arbeiten an Batteriematerialien, Brennstoffzellen und Ladeinfrastruktur. Unternehmen im Mittelland und in der Westschweiz entwickeln Komponenten, Antriebe und Speichersysteme. Regulatorisch sind das Bundesamt für Energie (BFE) und das Bundesamt für Strassen zuständig.

Gebühren für die Schweiz: CHF 1’370 (Schweizer Franken), mit Ratenzahlung und Arbeitgeberunterstützung.

Zuständige Stellen in der Schweiz

  • Bundesamt für Energie (BFE)
  • Eidgenössische Materialprüfungs- und Forschungsanstalt (Empa)
  • Paul Scherrer Institut (PSI)
  • Swiss Association for Hydrogen (H2 Suisse)

Typische Funktionen

  • Batterieingenieur/in
  • Elektroantriebsingenieur/in
  • Wasserstoff-Systemingenieur/in
  • Ladeinfrastruktur-Ingenieur/in

Fragen aus der Schweiz

Wird ein Abschluss in Electromobility, Batteries & Hydrogen in der Schweiz anerkannt?

SEIUM vergibt private Qualifikationen, die nicht staatlich oder akkreditiert sind. Anerkennung entscheiden Arbeitgeber oder zuständige Stellen. Für Ingenieurtitel sind in der Schweiz der SIA und Swissengineering relevant. Im Bereich Batterien und Wasserstoff sind Sicherheitsnormen wichtig, die Arbeitgeber häufig selbst prüfen. Klären Sie die Anerkennung daher vorab mit Ihrem Zielunternehmen.

Welche Arbeitgeber in der Schweiz arbeiten in Elektromobilität, Batterie und Wasserstoff?

Die Schweiz hat Unternehmen im Bereich Brennstoffzellen, Energiespeicher, E-Mobilität und Zulieferung sowie Forschungsinstitute. Gefragt sind Kenntnisse in Batteriesystemen, Thermomanagement und Sicherheit. Arbeitgeber gewichten Projekterfahrung hoch. Ein privates Zertifikat sollte durch praktische Nachweise ergänzt werden.

Wie viel Zeit braucht das Studium und kann ich es mit Job und Finanzierung kombinieren?

Das Studium ist online und auf Englisch, mit einem zugewiesenen technischen Tutor. Ein Weiterbildungsprogramm umfasst 1900 Stunden, ein Zertifikatsprogramm 800 und ein Kurs 300 Stunden. Neben einer Vollzeitstelle ist die Planung anspruchsvoll. Die Gebühren lassen sich in Raten zahlen, und Ihr Arbeitgeber kann die Weiterbildung ganz oder teilweise finanzieren. Ein Visum ist nicht nötig.

Virtuelles Labor · vor der Einschreibung ausprobieren

Übernehmen Sie die Kontrolle.

Führen Sie einen echten ingenieurtechnischen Zielkonflikt aus diesem Fachgebiet durch. Bewegen Sie die Regler, beobachten Sie die Reaktion des Modells in Echtzeit und meistern Sie die Herausforderung.

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Lernergebnisse

Was Sie danach können

01

Eigenschaften von SiC- und GaN-Bauelementen mit denen von Silizium vergleichen.

02

Wechselrichtertopologien je nach Batteriespannung und Leistung auswählen.

03

Verluste und thermisches Verhalten bei verschiedenen Modulationsverfahren berechnen.

04

Gate-Treiber mit geeigneten Schutzfunktionen entwerfen.

05

Vektorregelung permanentmagneterregter Synchronmaschinen implementieren.

06

Anforderungen der funktionalen Sicherheit in die Wechselrichter-Software integrieren.

07

Die thermische, elektrische und zuverlässigkeitsbezogene Validierung des Wechselrichters planen.

Profil

Für wen es gedacht ist

  • Leistungselektronik-Ingenieur, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Motorregelungsingenieur, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Hardware-Ingenieur für Wechselrichter, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Embedded-Software-Ingenieur für Traktion, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Ingenieur für funktionale Sicherheit, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Validierungsingenieur für Wechselrichter, der sich auf SiC/GaN-Traktionswechselrichter: Topologien und Regelung spezialisieren möchte.
  • Absolventen der Ingenieur- oder Naturwissenschaften, die in Hersteller von Elektrofahrzeugen einsteigen möchten.
Normen & Werkzeuge

Womit Sie arbeiten

  • AQG 324
  • AEC-Q101
  • ISO 26262-5:2018
  • ISO 6469-3:2021
  • IEC 60664-1:2020
  • ISO 21498-2:2021
  • JEDEC JEP183A
Lehrplan

8 Module · 800 Std.

  1. 1.1Eigenschaften von SiC und GaN im Vergleich zu Silizium
  2. 1.2Planare und Trench-SiC-MOSFETs
  3. 1.3GaN-HEMT-Transistoren und Kaskodenschaltung
  4. 1.4Statische und dynamische Kennlinien
  5. 1.5Intrinsische Diode und Sperrverzug
  6. 1.6Stabilität der Schwellenspannung
  7. 1.7Kurzschlussfestigkeit
  8. 1.8Leistungsmodule und Gehäusetechnik
  9. 1.9Qualifikation nach AQG 324 und AEC-Q101
  10. 1.10Praxis: Vergleich von MOSFET-Datenblättern
  1. 2.1Dreiphasiger Zweipunkt-Wechselrichter
  2. 2.2Dreipunkt-NPC- und T-Type-Wechselrichter
  3. 2.3400-V- gegenüber 800-V-Architekturen
  4. 2.4Mehrphasen- und Zwei-Motoren-Wechselrichter
  5. 2.5Vorgeschaltete DC/DC-Hochsetzstufe
  6. 2.6DC-Link-Kondensator
  7. 2.7Laminierte Stromschienen und Kommutierungsschleife
  8. 2.8In die elektrische Achse integrierte Wechselrichter
  9. 2.9Vergleich von Verlusten und Kosten
  10. 2.10Workshop: Topologie für ein 800-V-Fahrzeug
  1. 3.1Sinus-PWM mit Injektion der dritten Harmonischen
  2. 3.2Raumzeigermodulation
  3. 3.3Diskontinuierliche DPWM-Modulationen
  4. 3.4Leitungs- und Schaltverluste
  5. 3.5Totzeiten und deren Kompensation
  6. 3.6Einfluss von dv/dt auf den Motor
  7. 3.7Optimale Schaltfrequenz
  8. 3.8Stromwelligkeit auf dem Zwischenkreis
  9. 3.9Thermische Modelle nach Foster und Cauer
  10. 3.10Labor: Verlustberechnung mit PLECS
  1. 4.1Ansteuerungsanforderungen für SiC und GaN
  2. 4.2Galvanische Trennung und CMTI-Störfestigkeit
  3. 4.3Negative Sperrspannung
  4. 4.4Entsättigungserkennung
  5. 4.5Sanftabschaltung im Fehlerfall
  6. 4.6Miller-Effekt und aktive Klemmung
  7. 4.7Isolierte Spannungsversorgungen
  8. 4.8Entwurf von Treiberplatinen
  9. 4.9Diagnose und funktionale Sicherheit
  10. 4.10Praxis: Dimensionierung des Gate-Widerstands
  1. 5.1dq-Modell der permanentmagneterregten Maschine
  2. 5.2Clarke- und Park-Transformation
  3. 5.3Feldorientierte Vektorregelung
  4. 5.4PI-Stromregler
  5. 5.5Maximales Drehmoment pro Ampere und Feldschwächung
  6. 5.6Resolver und Positionsgeber
  7. 5.7Geberlose Positionsregelung
  8. 5.8Sättigung und Kreuzkopplung
  9. 5.9Diskretisierung und digitale Verzögerungen
  10. 5.10Workshop: Vektorregelung in Simulink
  1. 6.1Mikrocontroller für die Traktion
  2. 6.2Synchronisierte PWM und Analog-Digital-Wandlung
  3. 6.3AUTOSAR-Software für Wechselrichter
  4. 6.4Sichere Zustände: aktiver Kurzschluss und Freilauf
  5. 6.5Angewandte Anforderungen nach ISO 26262
  6. 6.6Überwachung der Sperrschichttemperatur
  7. 6.7Kalibrierung der Ansteuerung
  8. 6.8Hardware-in-the-Loop-Prüfstandstests
  9. 6.9Cybersicherheit von Software
  10. 6.10Labor: HIL-Test eines Sensorfehlers
  1. 7.1Flüssigkeitskühlung und Kühlplatten
  2. 7.2Silbersintern und Zuverlässigkeit
  3. 7.3Leistungswechseltests (Power Cycling)
  4. 7.4Kriechstrecken nach IEC 60664-1
  5. 7.5Elektrische Prüfungen nach ISO 21498-2
  6. 7.6Wirkungsgrad über Homologationszyklen
  7. 7.7Elektromagnetische Verträglichkeit des Wechselrichters
  8. 7.8Leistungsdichte und Bauvolumen
  9. 7.9Systemkosten
  10. 7.10Fallstudie: Validierung eines 250-kW-Wechselrichters
  1. 8.1Spezifikation des Wechselrichters
  2. 8.2Auswahl der Halbleiter
  3. 8.3Topologie und Modulation
  4. 8.4Verlust- und Wärmeberechnung
  5. 8.5Entwurf des Gate-Treibers
  6. 8.6Regelungsalgorithmus
  7. 8.7Sicherheitskonzept
  8. 8.8Validierungsplan
  9. 8.9Bericht und Präsentation
  10. 8.10Abschlussbesprechung mit dem Tutor
Methodik, Software & Labore

Wie Sie lernen

100 % Online-Schulung auf dem Campus von SEIUM, mit herunterladbarem Material, aufgezeichneten Unterrichtseinheiten und einem persönlichen Fachtutor. Es gibt keine festen Stundenpläne: Die Studierenden schreiten innerhalb des Jahrgangs in ihrem eigenen Tempo voran, was die Kombination mit einer Berufstätigkeit ermöglicht.

Jedes Modul verbindet Theorie, angeleitete Lektüre der Originalnorm und angewandte Übungen. Die eingesetzte Software sind PLECS, MATLAB/Simulink, LTspice, Ansys Q3D Extractor, TI Code Composer Studio, in kostenlosen, akademischen oder Testversionen. Die Fallstudien behandeln reale Verlustberechnungsverfahren für einen 800-V-Wechselrichter mit PLECS, die Dimensionierung des Gate-Widerstands eines SiC-MOSFET sowie HIL-Tests eines Stromsensorfehlers. Die Bewertung erfolgt kontinuierlich, modulweise, sowie durch das abschließende integrative Projekt.

Praxisnahes Arbeitenmit branchenüblicher Software, Simulation, realen Fallstudien und angeleiteten praktischen Übungen.
Nachweisorientiertes Abschlussprojekt:Sicherheitsnachweis, Testplan, Konformitätsdossier und Betriebsgrenzen.
Betreut von der Industrie:Lehrkräfte mit Berufserfahrung im Fachgebiet und in realen Industrieprojekten.
Flexible Studienform(100 % online), internationale Kohorten und Unterstützung durch den SEIUM Career Services.
Ethik und Sicherheit:einen Ansatz Sicherheit durch Konstruktion sowie Cybersicherheit und regulatorische Konformität als tragende Säulen.
Abschlussprojekt

Von Anfang bis Ende umsetzen

Ihr Abschlussprojekt folgt dem realen Ingenieursablauf Schritt für Schritt und wird von Ihrem Tutor begleitet und geprüft.

Spezifikation des Wechselrichters

Vergleichen Sie die Eigenschaften von SiC- und GaN-Bauelementen mit denen von Silizium.

Auswahl der Halbleiter

Wählen Sie Wechselrichtertopologien entsprechend Batteriespannung und Leistung aus.

Topologie und Modulation

Berechnen Sie Verluste und thermisches Verhalten für verschiedene Modulationsverfahren.

Berechnung von Verlusten und Wärme

Entwerfen Sie Gate-Treiber mit geeigneten Schutzfunktionen.

Entwurf des Gate-Treibers

Implementieren Sie die Vektorregelung von permanentmagneterregten Synchronmaschinen.

Berufliche Perspektiven

Wohin es Sie führt

Ingenieur für LeistungselektronikIngenieur für MotorregelungHardware-Ingenieur für WechselrichterEmbedded-Software-Ingenieur für TraktionIngenieur für funktionale SicherheitValidierungsingenieur für Wechselrichter
Zulassung & Stipendien

Voraussetzungen

  • Vorherige technische Ausbildung oder Berufserfahrung in der Branche. Ein Hochschulabschluss ist nicht erforderlich.
  • Internetanschluss und ein Computer, der die Software des Programms ausführen kann.
  • Ausreichende Englischkenntnisse, um technischen Normen folgen zu können.

Bereit zu starten?

Senden Sie noch heute Ihre Bewerbung. Unser Zulassungsteam antwortet Ihnen innerhalb von 72 Stunden mit Ihrem Studienplan und den Finanzierungsmöglichkeiten.

Häufige Fragen

Häufig gestellte Fragen

Der Studiengang umfasst insgesamt 800 Stunden, verteilt auf 6 bis 8 Monate. Das entspricht durchschnittlich 10 bis 15 Stunden pro Woche und lässt sich daher gut mit einer Vollzeitbeschäftigung vereinbaren.

Im Studiengang werden PLECS, MATLAB/Simulink, LTspice, Ansys Q3D Extractor und TI Code Composer Studio eingesetzt. Verwendet werden kostenlose, akademische oder Testversionen; wo eine kostenlose Alternative existiert, gibt der Tutor diese an.

Nach erfolgreichem Abschluss der kontinuierlichen Bewertung und des integrativen Projekts erhalten Sie ein eigenes Zertifikatsprogramm von SEIUM. Es handelt sich um eine hauseigene Weiterbildung und nicht um einen staatlichen Abschluss des Ministeriums.

Ja. Module, die in einem Kurs oder Postgraduiertendiplom im selben Bereich erfolgreich abgeschlossen wurden, werden im höherwertigen Studiengang anerkannt. Prüfen Sie die Anerkennungsregelung bei der Einschreibung.

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SEIUM – Institut für fortgeschrittene Ingenieurwissenschaften
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